
正转向 3D DRAM,将传统 2D 平面排列的 DRAM 单元改为垂直或立体堆叠架构的内存技术。其原理类似 3D NAND 闪存,通过改变晶体管排列方向(如水平放置)或垂直堆叠,在缩小制程时保持电容器容量。不过在技术实现方面,三星和 SK 海力士已分化出不同发展路线。三星方面计划推广 GAAFET 工艺。在处理器制造中,GAAFET 通过栅极包裹沟道来提升电流控制力;但在 DRAM 中,三星必须
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发布时间:05:24:12

